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ZF schließt mit STMicroelectronics Vertrag über Lieferung von SiC-Halbleitern
G3R™ 750-V-SiC-MOSFETs bieten beispiellose Leistung und Zuverlässigkeit
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SiC-MOSFETs der dritten Generation bieten eine hohe Leistung
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SiC: Leistungsvergleich zwischen IGBT und SiC Gen4
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Infineon erweitert CoolSiC™-Portfolio um 2 kV-Spannungsklasse und ermöglicht für 1500-VDC-Systeme höchste Leistungsdichte - MED-engineering
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FF6MR12KM1BOSA1 Infineon, Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal | Farnell DE
